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标题: Intel/美光25nm工艺晶圆厂一日游 [打印本页]
作者: suboysugar 时间: 2010-2-5 09:42
标题: Intel/美光25nm工艺晶圆厂一日游
上周末，Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies, LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外，他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。
位于雪山脚下的IMFT工厂
工厂结构，制造半导体产品最关键的无尘室位于第三层，加压吊顶形成由上向下的气流，设备维护工作则在二层的“SubFab”层完成。
进入无尘室之前的“打包”过程。（由于无尘室内部的严格要求，实际上以下内部照片均来自IMFT官方）
厂内地面全部打孔，保证空气从上向下流通，将落尘可能减到最小。
FOUP片盒挂接在一个制造阶段设备上，后面的那个正在被AMHS吊起。
几乎所有制造过程均为自动完成，因此厂内大部分工人的工作就是保证这些设备正常运行。
化学机械抛光（CMP）车间
照明受限的光刻车间
一块光刻掩膜，光刻过程简单的说就是将这块掩膜上图案“缩印”到晶圆上。
光刻过程中的“校准”
实时缺陷监测（RDA）
FOUP片盒中的300mm晶圆
PCper记者手持一片25nm工艺300mm晶圆，总容量超过2TB。
300mm晶圆
每片闪存颗粒die容量为8GB（每格2GB），面积167平方毫米。
Intel副总裁，NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒
尺寸对比
从左到右分别是：
2003年130nm工艺128MB，2005年90nm工艺512MB，2007年50nm工艺1GB，2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。
使用25nm工艺闪存，只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划，今年将基于该闪存造出最大600GB的固态硬盘，而美光甚至计划最大推出1TB SSD。
作者: 6331805 时间: 2010-2-5 10:07
不错！长见识了！
作者: pangares 时间: 2010-2-5 10:48
我也想去参观一下……
作者: pangares 时间: 2010-2-5 10:48
最好能顺便送点什么小礼物啥的:a50:
作者: sunweipeng 时间: 2010-2-5 12:29
好贴帮顶
作者: 本息 时间: 2010-2-5 18:32
嘿嘿~长见识了~
作者: dfly134 时间: 2010-2-5 23:50
确实黑霸道哦
作者: 鲁莽的小牛 时间: 2010-2-6 08:58
:a46:中国和他们的技术差远了
作者: 龙翔九天 时间: 2010-2-6 10:33
最好能顺便送点什么小礼物啥的:a50:
pangares 发表于 2010-2-5 10:48 
既然是镁光
礼物必须要是D9的灯条啊
:a175:
作者: 远航 时间: 2010-2-6 12:09
我也想去参观一下:a17:什么时候中国采用这样的工厂，现在中国不差钱关键是没有技术。
作者: 米佳 时间: 2010-2-8 04:23
长见识呀 ................ 老外的科技真牛 ... 不知道我们国家有全自动的高科技生产车间不...
作者: kazuna 时间: 2010-2-11 13:55
牛X啊，长见识了~
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