本帖最后由 royalk 于 2010-3-3 22:00 编辑 近日买了一块XFX公版第一版5770 先上点图看看 包装盒 XFX的一贯作风 ![]() ![]() 2010-3-3 21:31 卡正面 5系列标致的涡轮散热器 ![]() ![]() 2010-3-3 21:31 背面 ![]() ![]() 2010-3-3 21:31 裸照 ![]() ![]() 2010-3-3 21:52 显存 HY的DDR5 0.4ns 标称频率1250MHz ![]() ![]() 2010-3-3 21:31 测试平台 CPU:PII 955 3.9G NB 2.6G 主板:DFI 790FXB M2RSH 内存:ADATA 4G @DDR2 1040 显示驱动:催化剂10.2 默认就不测了 网上一大堆数据。。 直接拉CCC破表时脉:960/1445 3D06 18291 ![]() ![]() 2010-3-3 21:34 3DV 11163 ![]() ![]() 2010-3-3 21:32 我们知道ATI40nm非常好超 CCC破表后仍有一定潜力 用MSI afterburner软件 首先用记事本修改安装目录下的MSIAfterburner.cfg文件下的 [ATIADLHAL] EnableUnofficialOverclocking = 0改为1 启用unofficial overclocking 继续超 默电极限core 985MHz/Mem 1485MHz 3D06 18512 ![]() ![]() 2010-3-3 21:32 本想加压继续上 理论上用MSI afterburner是可以调ATI 5系列的电压的 但是我换了许多BIOS 发现调节电压并不起作用,核心极限依然在985MHz 再拉高就不能过3D06测试 最后来个furmark甜甜圈烧机测试 室温20度 ![]() ![]() 2010-3-3 21:57 总结: 1.核心:40nm真的好超 看到有许多5770加压到1.2V后可以核心轻易超上1GHZ 但是大幅超频后漏电会比较严重 温度暴增。 2.显存:显存引用国外玩家的心得,HY的可以达到1400-1450而三星的只能到1350左右,而我这颗显存最高可以超到1485完成测试。。。还是比较满意的 再引用国外玩家的心得,超过1300MHz以后提升非常小,测试3D06的分数核心固定960MHz,显存在1300MHz和1445MHz只有500分的差距,可以说提升微乎其微。这是因为显存带宽现在不构成瓶颈,而核心频率是瓶颈了,这点可以从GT240上充分反映出来,GT240搭配DDR5和DDR3显存性能差别甚小。 虽然GDDR5加入了ECC校验,不会轻易花屏,但是也并不是说可以长期大幅超标运行的(这颗HYNIX的0.4ns的GDDR5标称频率为1250MHz,等效5000MHz显存频率),因此,长期运行显存在1250-1300MHz还是比较健康的。 3.做工:公版采用3+2+1相供电,3相供电3个MOS足以满足核心120W以上的供电需求,而5770公版AMD的整卡官方最大功耗数据为108W,核心少于100W,这样的做工足以稳定运行。 |
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