| 尽管DRAM的1月下旬合约价持续重挫，但是在记忆体封测大厂力成（6239），及三星喊话DRAM景气第1季触底之下，昨（27）日现货价格出现止跌反弹走势，DDR3 1Gb eTT现货价昨日大涨8.18％，DDR3 2Gb品牌颗粒更大涨10.81％收市，DRAM价格似乎嗅到春天的味道。 25日公布的合约价仍呈现破底走势，跌幅在3.3％至6.6％之间，合约厂商南科表示，目前DDR3 1Gb价格已经濒临变动成本，DDR3 2Gb也已经跌破制造成本，价格再大幅重挫的空间已经不大，但是因为通路上仍有些库存，还有待消化，因此目前还看不到价格反弹的理由。 不过现货价格却在大厂喊话之下，昨日联袂出现激烈反应。记忆体后段封测大厂力成对DRAM价格后势趋向乐观，认为在大厂相继把产能转往毛利较好的Mobile DRAM以及NAND之下，标准型产品很可能面临产能吃紧状况，力成也特别点出，现阶段有能力以40奈米生产2Gb的厂商并不多，加上DDR3 1Gb价格太低，众多产能转出，转进DDR3 2Gb同时，又面临良率不足的问题，导致DDR3 1Gb，或是2Gb产能同步不足的情况。 龙头大厂三星电子也释出DRAM价格触底时间点，将从第2季往前推进至第1季，在各方看好DRAM价格后势之下，现货价昨日连袂大涨，除了DDR 512Mb价格呈现下跌之外，其余均呈现大涨走势。 各种规格DRAM中，其中以DDR3 2Gb品牌颗粒大涨10.81％居冠，DDR3 1Gb eTT颗粒则上涨8.22％，涨幅居次。 |
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