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标题: 三星金条将推出DDR4内存 [打印本页]

作者: sunweipeng 时间: 2011-2-18 08:05
标题: 三星金条将推出DDR4内存
早前，在日本东京举行的MemCon2010大会上，US Modular公司工程副总裁、JEDEC董事会成员Bill Gervasi介绍了关于**DDR内存（DDR4）的相关资料。而作为全球实力最强悍的半导体生产商，三星半导体在内存颗粒方面的研发一直保持着较大的领先优势。09年末，三星金条于中国市场率先推出了采用40纳米工艺的幻影40内存，成为当时唯一拥有40纳米内存的品牌。时隔1年，三星半导体方面再次传来喜讯，目前已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格的内存条研发，并且采用了最先进的30nm级工艺制造，相比于其他半导体厂商又领先了大约1-2年，技术差距非常明显
据悉，目前已经面世的三星DDR4内存样品采用UDIMM类型设计，容量为现时主流的2G，运行电压低至1.2V（有望降低至1.05V），比DDR3内存降低了足足四分之一。工作频率则高达为2133 MHz，伴随技术的成熟与电路架构的不断改良，该内存运行频率最终有望突破3200MHz，成为迄今为止世界上运行速度最快的内存。回顾三星金条的主打力作幻影40系列内存，低能耗、低发热、高效稳定和强劲的超频性能让其傲视群雄，借助工艺的优势建立起了牢不可破的城堡，继续一马当先领衔内存的发展。如今新一代内存即将上市，三星与其他品牌之间的优势差距势必进一步拉大。
作为最新一代的极品内存，DDR4使用了昔日曾频繁亮相于高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技术，透过该技术可大幅度降低数据在读取、写入时候内存颗粒的漏电情况，于DDR3相比大约可降低一半的漏电，届时DDR4将会更节能更高效。另一方面三星称，目前已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存的测试样品，并计划与多家厂商开展密切合作，帮助JEDEC组织完成DDR4相关规范的制定，并与2012年或更早投入商用。
三星目前已完成历史上第一款DDR4 DRAM的内存条研发，目前已面世的三星DDR4内存样品采用UDIMM类型设计，容量2G，运行电压仅1.2V。默认工作频率2133 MHz，最终频率有望突破3200MHz，成为现今运行速度最快的内存。作为最新一代内存，三星DDR4内存将会使用虚拟开漏极技术，透过该技术可大幅度降低数据在读娶写入时候内存颗粒的漏电情况，与DDR3相比大约可降低一半的漏电，DDR4将会更节能更高效。

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作者: 34362436 时间: 2011-2-18 11:59
差不多会有厂商支持的了~~

作者: lloovveerr 时间: 2011-2-22 15:03
最后无非就是带宽越来越大频率越来越高电压越来越低价格越来越便宜

作者: wlrwyk 时间: 2011-2-22 18:25
2015年估计普及到时候DDR3可能又会涨价类似于现在的情况

作者: numby 时间: 2011-2-28 20:18
这个方面三星还挺快的

作者: gwf88 时间: 2011-3-8 14:35
价格？。。。。。。。。。。。。。。。。。。

作者: 小祺 时间: 2011-3-14 16:22
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