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标题: 继三星之后，海力士宣布2400MHz DDR4内存 [打印本页]

作者: mjsong 时间: 2011-4-9 14:04
标题: 继三星之后，海力士宣布2400MHz DDR4内存
本帖最后由 mjsong 于 2011-4-9 14:05 编辑

三星电子抢先行动整整三个月之后，另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。

海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM内存条，支持错误校验功能，均采用先进的30nm级别工艺制造，完全符合JEDEC组织制定的相关标准规范。

海力士DDR4 DRAM内存颗粒的运行速度高达2400MHz，比目前主流的DDR3-1333快了整整80％，也比三星DDR4快了266MHz，同时运行电压仅有1.2V，64-bit I/O接口下数据传输带宽高达19.2GB/s。

海力士计划2012年下半年开始批量生产这种高性能DDR4内存，主要提供给微型服务器(micro server)市场，暂无消费级产品规划。

市调机构iSuppli认为，DDR4 DRAM在整个内存市场上的份额2013年约为5％，2015年即可超过50％成为主流，同时DDR3 DRAM内存在2012年达到71％的份额高峰，2014年就会迅速滑落到49％。

作者: 河鱼湾 时间: 2011-4-10 01:38
CPU厂商不知道啥时候开始支持DDR4

作者: wlrwyk 时间: 2011-4-22 23:24
估计还要等几代平台了

作者: aq87 时间: 2011-4-26 14:49
这个价格就难说了。。

作者: celeron 时间: 2011-4-26 19:46
几年后的事情了

作者: 52硬件-MMA 时间: 2012-10-19 16:03
高频内存以后越来也给力！

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