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标题: IDF2011:Intel HET-MLC NAND闪存芯片SSD [打印本页]

作者: sunweipeng 时间: 2011-9-15 10:38
标题: IDF2011:Intel HET-MLC NAND闪存芯片SSD
9月13日－15日，英特尔信息技术峰会在美国加州旧金山举办。峰会第二日，Intel正式发布了使用新型HET-MLC NAND闪存芯片的SSD 710型号，MLC就是多层单元封装，HET则代表着高耐久性技术(High Endurance Technology)，是为了解决闪存类型与寿命之间的矛盾而诞生的。

IDF2011:Intel SSD 710

　　SSD 710系列采用和桌面型号SSD 320系列类似的25nm MLC NAND闪存芯片，容量有100GB、200GB、300GB三种，接口为SATA 3Gbps，不可纠正错误率都是1E-16，和桌面上的SSD 320系列相同，而比上代X25-E系列的1E-15低一个数量级。

　　第2页Intel HET-MLC NAND闪存芯片SSD(2)

　　Intel称HET技术相比于普通MLC NAND固态硬盘可带来更高的写入寿命和同样的不可纠正错误率(UBER)，同时擦写周期更高。正因为对HET-MLC闪存的可靠性有着高度的信心，Intel才将其引入了企业市场。

IDF2011:Intel SSD 710

　　SLC NAND单层闪存芯片的优点是速度快、可靠性高，缺点是容量小、成本高，MLC NAND则正好相反：容量大、成本低、速度慢、可靠性差，因此目前的固态硬盘产品在消费市场上多使用MLC，企业领域则钟爱SLC。

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