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2008年全球DRAM厂竞争激烈，制程竞赛自70nm制程后加速，由于能否优先导入先进制程成为各厂获利关键，从早期一个制程技术可以沿用一年甚至两年的周期，转为现今一年横跨两个制程技术，时至今日，各厂仍积极转进40nm甚至30nm制程，虽然每一个制程技术可以较前代技术增加20%-30%产出量，但提升良率的稳定度却日益困难，40nm制程质量问题频传，一再挑战DRAM厂30nm制程后的研发技术能力。 以目前各家技术能力来分析，三星仍稳居各DRAM厂龙头之位，35nm制程至第二季末预估将占三星产能的30%，预计年末将有超过50%DRAM产出皆是采用35nm制程技术；海力士由于38nm制程需同时切入6F2领域，预估今年底贡献产出的比例将非常有限；而日商尔必达子公司瑞晶在去年第四季已全数导入45nm制程，38nm制程预计六月量产，年末希望达成总投片产能一半的目标；南科与华亚科现阶段致力于拉高42nm的投片比重以及良率稳定度，30nm有机会于年末进行试产，此外各家内存厂为了提高获利能力，除了降低标准型内存的投片比例，也将产能转往毛利较高的服务器用内存与行动式内存，改善目前DRAM厂的财务状况。 展望下一世代的制程演进，除了持续改善30nm制程研发进度与良率外，无可避免的亦须面对摩尔定律的瓶颈，迈入20nm制程后，不仅设计难度添增往后生产的不确定性，造价高昂的超紫外光微影设备(EUV)更大幅拉高进入次世代制程的门坎，目前除了有获利能力的国际DRAM厂能负担价格昂贵的机台外，其余尚在亏损状态的DRAM厂仍在审慎评估中未来市场的需求，所幸20nm制程设计难度及资本支出方面进入障碍颇高，预计在2012年底以前仍会是以30nm制程颗粒为市场主流，有机会让平均落后一到两个世代的台系DRAM厂商有短暂喘息的空间。未来两年的内存位成长率将会趋缓，可望让供过于求的标准型内存价格产能获得部份纾解而让目前过低的价格回复至合理范围。 | 
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