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IDF2011:Intel HET-MLC NAND闪存芯片SSD

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发表于 2011-9-15 10:38:49
9月13日-15日,英特尔信息技术峰会在美国加州旧金山举办。峰会第二日,Intel正式发布了使用新型HET-MLC NAND闪存芯片的SSD 710型号,MLC就是多层单元封装,HET则代表着高耐久性技术(High Endurance Technology),是为了解决闪存类型与寿命之间的矛盾而诞生的。

IDF2011:Intel SSD 710

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IDF2011:Intel SSD 710


IDF2011:Intel SSD 710


  SSD 710系列采用和桌面型号SSD 320系列类似的25nm MLC NAND闪存芯片,容量有100GB、200GB、300GB三种,接口为SATA 3Gbps,不可纠正错误率都是1E-16,和桌面上的SSD 320系列相同,而比上代X25-E系列的1E-15低一个数量级。
  第2页Intel HET-MLC NAND闪存芯片SSD(2)

  Intel称HET技术相比于普通MLC NAND固态硬盘可带来更高的写入寿命和同样的不可纠正错误率(UBER),同时擦写周期更高。正因为对HET-MLC闪存的可靠性有着高度的信心,Intel才将其引入了企业市场。

IDF2011:Intel SSD 710

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IDF2011:Intel SSD 710


IDF2011:Intel SSD 710
  SLC NAND单层闪存芯片的优点是速度快、可靠性高,缺点是容量小、成本高,MLC NAND则正好相反:容量大、成本低、速度慢、可靠性差,因此目前的固态硬盘产品在消费市场上多使用MLC,企业领域则钟爱SLC。
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