一、 现代SDRAM内存芯片的识别
---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:
HY 5X X XXX XX X X X X XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩
---- “HY”表明是现代的产品。
---- ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO，“57”为SDRAM，“5D”为DDR SDRAM。
---- ②代表工作电压: “U”为2.5V，“V”为3.3V，空白代表5V。
---- ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。
---- ④代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。
---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。
---- ⑥代表内存接口: 一般为“0”，代表LVTTL接口。
---- ⑦代表内存版本号: 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。
---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示为正常功耗芯片。
---- ⑨代表封装类型: 其编号与封装类型的对应关系如下:
“JC”: 400mil SOJ
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ
“TD”: TSOP-Ⅱ
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD
---- ⑩代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:
“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“10s”: 10ns(PC-100 CL3)
“10”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)
二、LG SDRAM内存芯片的识别
---- LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:
GM72V XX XX X X X X X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
---- “GM”代表LG的产品。
---- “72”代表SDRAM。
---- “V”代表工作电压为3.3V。
---- ①代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。
---- ②代表数据位宽: 其中“4”、“8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。
---- ③代表内存芯片内部Bank: 其中“2”表示2个Bank，“4”表示4个Bank。
---- ④代表内存接口: “1”代表LVTTL。
---- ⑤代表内核版本。
---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗，空白则代表常规功耗。
---- ⑦代表封装类型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封装，如果是“I”则代表BLP封装。
---- ⑧代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:
“75”: 7.5ns(133MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“7J”: 10ns(100MHz)
“10K”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)
三、KingMax SDRAM内存芯片的识别
---- KingMax公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:
KM X XX S XX X X X X X - X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩
---- “KM”表示KingMax的产品。
---- ①代表内存芯片种类: “4”代表DRAM。
---- ②代表内存芯片组成个数: “4”代表×4，“8”代表×8，“16”代表×16。
---- “S”表明是SDRAM。
---- ③代表一个内存芯片密度: “1”代表1Mbit，“2”代表2Mbit，“4”代表4Mbit，“8”代表8Mbit，“16”代表16Mbit。
---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref，“1”代表2K Ref，“2”代表8K Ref。
---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: “2”代表2个Bank，3代表4个Bank。
---- ⑥代表内存接口: “0”代表LVTTL，“1”代表SSTL。
---- ⑦代表内存版本: 空白代表第1代，“A”代表第2代，“B”代表第3代。
---- ⑧代表封装类型: “T”代表封装类型为TSOP-Ⅱ。
---- ⑨代表电源供应方式: “G”代表自动刷新，“F”代表低电压自动刷新。
---- ⑩代表最少存取周期(最高频率): 其编号与速度的对应关系如下:
“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10”: 10ns(100MHz)
“H”: 100MHz@CAS值为2
“L”: 100MHz@CAS值为3
---- 例如内存标识为“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K Ref，内存Bank为3，内存接口为LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100MHz)。 |
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