本帖最后由 ricky-gz 于 2010-5-18 11:26 编辑
内存负责向 CPU 提供软件和系统运算所需的原始数据，而目前 CPU 运行速度超过内存数据传输速度很多。因此，很多情况下，CPU 都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU 等待时间”。
内存传输速度越慢，CPU 等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存，是有效提升 CPU 效率和整机性能的关键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说，就是传输前，传输双方必须要进行必要的通信，而这样就会造成传输的一定延迟时间。
时序设置一定程度上反映出了该内存在 CPU 接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出，同频率的内存，时序设置低的，更具有速度优势。
上面只是给大家建立一个基本的延迟概念。而实际上，内存延迟的基本因素，绝对不止这些。内存延迟时间，有个专门的术语叫“Latency”。
要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个 EXCEL 表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后，该数据就唯一了。
内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个 RAS 信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，
而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来 CAS 信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在 RAS 信号和 CAS 信号之间的几个执行周期，就是 RAS-to-CAS 延迟时间。
在 CAS 信号被执行之后，同样也需要几个执行周期。
CL 设置较低的内存，具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间＝系统时钟周期×CL模式数＋存取时间（tAC）。
首先，来了解一下存取时间（tAC）的概念。tAC 是 Access Time from CLK 的缩写，是指最大 CAS 延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。
存取时间（tAC）代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。
举个例子，来计算一下总延迟时间。比如，一条 DDR333 内存，其存取时间为 6ns，其内存时钟周期为 6ns（DDR内存时钟周期＝1X2/内存频率，DDR333 内存频率为 333，则可计算出其时钟周期为 6ns）。 我们在主板的 BIOS 中，将其 CL 设置为 2.5，则总的延迟时间＝6ns X2.5＋6ns＝21ns。而如果 CL 设置为 2，那么总的延迟时间＝6ns X2＋6ns＝18ns，就减少了 3ns 的时间。
从总的延迟时间来看，CL 值的大小起到了很关键的作用。
所以，对系统要求高和喜欢超频的用户，通常喜欢购买 CL 值较低的内存。目前，各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高 DDR 的性能之外，
已经考虑通过更进一步的降低 CAS 延迟时间，来提高内存性能。不同类型内存的典型 CL 值并不相同。
不过，并不是说 CL 值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。
再者，列的数据会比较常被存取，所以 RAS-to-CAS 的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS 延迟时间只会发生一次。
以上是一些旧资料 目前主流主板BIOS中常见的内存参数设置选项主要有以下几种：CAS Latency Control（tCL）、RAS to CAS Delay（tRCD）、Row Precharge Timing （tRP）、Min RAS Active Timing（tRAS）， 部分主板还提供了Command Per Clock（CMD）选项。除了上述常见参数设置外，大部分主板的BIOS中还提供了内存高级参数设置， 这些参数包括：Row to Row Delay（或RAS to RAS delay，tRRD）、Row Cycle Time（tRC）、Write Recovery Time（tWR）、Write to Read Delay（tWTR）、Refresh Period（tREF）等（如下图所示）。 需要提醒大家的是，不同主板厂商、不同品牌的BIOS在参数名称上可能存在一定差异，但是对应的缩写基本都是统一的。所以大家不用可以去记下参数的详细名称，只要记住对应的缩写就可以了。
同时降低tCL、tRCD、tRP、tRAS四项参数获得的性能提升最为明显，不过与内存在默认状态下的性能相比，整体提升幅度也只有1%-2%左右（个别测试项目可能达到4%以上，但不具备代表性），
并不象一些用户想像的那样有大幅提升，大家在实际使用过程中很难察觉性能上的变化。而大幅降低参数延迟可能会造成内存稳定性下降。
另外，在单独调节tCL、tRCD、tRP、tRAS参数的测试中，tCL参数的变化对于内存性能的影响要比其他三项参数更加明显一些。
所以，如果内存在低时序下无法稳定工作，大家可以先逐步提高tRCD、tRP、tRAS参数的延时，然后再增加tCL参数延迟，直至内存能够稳定工作为止。
小对比测试
上下2张图的配置都一样，唯一不同的是： 上图的内存时序为 8-8-8-24 下图的内存时序为 9-9-9-24 这里选择了几个比较简单的软件做测试。 PI, Everest 内存测试，winrar，还有下面的 pcmark vantage 从上面的测试可以看出价低一格内存时序对性能的提高是非常小的 《4%
除了性能方面的微弱差别外，当CMD参数设置为1T时，内存的稳定性和超频能力较2T设置大幅下降。比如在DDR2-800频率、4-4-4-10时序下，将CMD参数设置为1T后绝大多数内存均无法开机。
主流DDR2内存在1T设置下的性能要好于2T，但总体1%-3%的性能提升在实际使用中可以忽略不计。
而在稳定性方面，1T设置下内存的稳定性较差，轻则影响内存超频能力，重则影响系统的稳定性；2T则能够充分保证内存稳定工作。
对于普通用户而言，将内存CMD参数设置为1T是不明智的做法，虽然可能获得轻微的性能提升，但代价是稳定性大幅下降，得不偿失。
当然，如果您是一位热衷于追求极致性能的硬件发烧友，那么通过更改内存的时序参数就获得1%-3%的性能提升还是值得尝试的。
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