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新一届国际固态电路会议ISSCC 2011于当地时间21日在美国旧金山开幕，业内众多半导体企业汇聚一堂，分享了各自的最新成果。
Intel此番公布了新一代安腾处理器“Poulson”的大量技术细节，内核架构也基本一览无余。
现有代号“Tukwila”的安腾Itanium 9300系列采用65nm CMOS工艺制造，最多四核心、24MB三级缓存，集成晶体管20.5亿个，核心面积699平方毫米，热设计功耗170W。Poulson则直接使用32nm HKMG工艺(跨过45nm)，最多八核心，晶体管也猛增一半多达到31亿个，但是核心面积缩小了22％，只有29.9×18.1＝544平方毫米，热设计功耗则依然保持在170W，每核心同频率下降低60％。
缓存方面，Poulson每个核心16KB一级数据缓存、16KB一级指令缓存、512KB二级数据缓存、256KB二级指令缓存，然后32MB三级缓存一方面为八个核心共享，但又分成八个4MB大小的LLC区块供给每个核心快速访问(有些类似于Sandy Bridge)，另外还有两个1.5MB目录缓存，总的SRAM缓存容量达到了54MB。
Poulson还集成了四个全速和两个半速QPI总线控制器，两个SMI可扩充内存互连控制器。
Poulson内核照片 
内核架构简图 
内核架构简图 
单个核心架构图
为了达到更高的频率、更低的功耗，AMD还在供电管理方面做了深入努力，具体细节不再表述，大家只要知道成果就是可将频率再提升20％以上，已经超过3.5GHz。
推土机架构图与 
推土机模块架构图 
电源管理改进
z196采用45nm PD SOI工艺制造，13个金属层，3500米连线，14亿个晶体管，核心面积512平方毫米。每颗芯片有四个核心，每两个核心共享一个协处理器(COP)，用于加解密和压缩的加速。
缓存方面，每个核心64KB一级指令缓存、128KB一级数据缓存、1.5MB二级缓存，四个核心共享24MB eDRAM三级缓存，六颗处理器组成一个节点还共享192MB eDRAM四级缓存。
z196还支持DDR RAIM内存容错技术。
IBM zEnterprise处理器进化史 
z196架构图与规格 
z196缓存/节点拓扑图
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