2011英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF)于4月12日至13日在北京的中国国家会议中心举行。本次会议上由英特尔公司的平台内存经理Charles Chang针对英特尔内存发展、行业发展做了一个简单的汇总。其中提及,2013年下半年英特尔将在部分平台中引进DDR4内存。 目前内存行业的现状是,预计2011上半年继续供过于求的现状,下半年才会开始好转。而DDR4内存将在2013~2014年启程,到2015年大幅度增长。英特尔将在2013年对其部分平台提供对DDR4内存的支持,当然DDR4并非一个革命性的技术,只是一个改进和延续。 三星目前已完成历史上第一款DDR4 DRAM的内存条研发,目前已面世的三星DDR4内存样品采用UDIMM类型设计,容量2G,运行电压仅1.2V。默认工作频率2133 MHz,最终频率有望突破3200MHz,成为现今运行速度最快的内存。三星电子抢先行动三个月之后,另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)近日也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。 对于DDR3内存的生态系统方面,DRAM和DIMM产业都有很多厂商通过了英特尔的内存认证,DRAM方面包括三星、海力士、尔必达、镁光和南亚,DIMM内存模组
方面包括金士顿、威刚、宇瞻和记忆等,其认证结果都会放在英特尔官方网站上面,并会定期更新。 |