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从全球DRAM厂自有品牌内存营收排名来分析，韩系厂商三星与海力士营收仍稳坐全球DRAM厂前两位，三星本季营收下降6.1%，三星DRAM市占率仍维持与上季相同约40%左右，由于制程转进速度优于其他厂商，35nm制程产出逐步拉高，预计年底35nm制程的占整体产出量可以超过50%，市占率有望进一步提升。目前三星手机内存卡独占鳌头，三星的电脑内存条也在不久前推出新品，全球领先的技术和可靠的原厂质量保证也得到了消费者的广泛认可。海力士本季营收与上季相较微幅上升0.3%，市占率由上季21.9%上升至22.9%，其主因由于海力士积极降低标准型DRAM比重，提升行动式内存及绘图式内存产出比例，即使第一季DRAM呈现价格下滑的趋势，海力士DRAM营收仍保持微幅的成长。 日系厂商尔必达方面亦受到DRAM价格下滑影响，第一季营收与上季相比下降约5.1%，市占率由13.6%下降至13.5%，日前力晶已正式宣布未来产出的标准型DRAM将全数交由尔必达销售，预计第二季末将对尔必达营收挹注有所贡献，在产品规划上，日本广岛厂将专注行动式内存与代工方面业务，并将标准型DRAM转交瑞晶与力晶负责。而子公司瑞晶方面，目前38nm制程试产良率状况良好，可望第二季末导入量产并大幅提升成本竞争力。美光方面，受到DRAM价格影响，虽然DRAM位产出本季增加约23%，DRAM营收仍较上季下跌8.5%，但市占率小幅下滑至11.4%。 台系厂方面，由于DRAM市场市况不佳，南科第一季营收下滑约3.8%，但本季市占率维持相同4.2%，由于南科在42nm制程持续转进下与代工厂华亚科产出量增加下，位销售量相较于上季成长20%。力晶则是受惠于浸润式机台正式加入量产行列，45nm制程产出增加下，营收增加8.3%，算是第一季少数DRAM厂营收成长的厂商，未来力晶将转型为专业代工厂并淡出自有品牌销售，并加重行动型内存、闪存及代工业务营收，获利能力可望稳定提升。华邦营收较去年第四季下滑2.7%，由于华邦近期专注于行动式内存、利基型内存及NOR Flash等毛利较高产品线，获利表现仍可抱持审慎乐观的态度。 | 
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