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接下来，选中“DRAM Configuration”回车，进入内存参数设置，见下图八： 各位XDJMS注意，很多时候CPU超不上去，跟这里的设置有很大关系，请想睡觉的同学们睁大眼睛竖起耳朵注意听讲。 DRAM Latency：预充电时间（TCL），一般简称CL，表示系统自主内存读取第一笔资料时所需的准备时间。在内存可以承受的情况下越快越好，开不了机或蓝屏的话放宽些吧。 RAS to CAS R/W Delay：列控制器至行控制器传输延迟（Trcd），内存控制器会先送出列(ROW)的位址，然后RAM收到列的位置后，经过一段时间，才会再传送行(Column)的位址，而这一段时间就是RAS Delay。设置原则同TCL。 Row Precharge Time：内存行地址控制器预充电时间（Trp），预充电参数越小则内存读写速度越快。 Mini RAS Active Time：内存活跃延迟（Tras），一般内存模组有分1bank跟2bank，当CPU在Bank1找完资料,Bank1便需要一段时间恢复才能再供利用,这一段时间就是RAM Active Time，根据内存体质越小越好咯。 DRAM Command Rate：传送、读取 “定址内存模组和内存芯片的频率循环”所需时间。可设置为“1T”或“2T”。1T拥有较少的延迟，较佳的系统内存性能，但稳定性较差；2T拥有较长的延迟、差很多的内存效能，但比较稳定，超频时建议设置为“2T”。 DRAM Bank Interleaving：存储区块交错式运行模式。默认为开启，目前的内存都支持这一工作方式，不需要更改。 DQS Training Control：数据信号时间差控制，一般不需要更改。 Memc Lock tri-stating：默认为关闭，没搞懂也没试过。 Memory Hole Remapping：内存孔洞重映射，使用32位操作系统的可以无视它。 Auto Optimize Bottom IO:自动优化底层IO，默认开启，不用理会。 DDRII Timing Item：开启此项，才可以调整内存每个内存通道的延迟。 TwTr Command Delay：内存读到写延迟，建议设成2或3。 Twfc（0～3）For DIMM（0～3）：CPU与内存槽的连接延时，建议都先设成195，稳定后再逐步收紧，可以跑75最好。（Twr）Write Recovery Time：写恢复延迟，可以设为4～6。（Trtp）precharge Time：内存预充电时间，默认值为3，也可以设为4。（Trc） Row Cycle Time：内存的行周期时间，取11～26之间均可，内存运行一个完整周期的时间越快越好。（Rrrd）RAS to RAS Delay：预充电时间，延迟越低，表示下一个BANK能更快地被激活，进行读写操作。 BIOS里有关超频的设置基本上就是这些，退出时记得保存，否则又要重新来过。OK，现在进入超频实战阶段。 |
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