上周末，Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies, LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外，他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。
位于雪山脚下的IMFT工厂 
工厂结构，制造半导体产品最关键的无尘室位于第三层，加压吊顶形成由上向下的气流，设备维护工作则在二层的“SubFab”层完成。 
进入无尘室之前的“打包”过程。（由于无尘室内部的严格要求，实际上以下内部照片均来自IMFT官方）
厂内地面全部打孔，保证空气从上向下流通，将落尘可能减到最小。 
FOUP片盒挂接在一个制造阶段设备上，后面的那个正在被AMHS吊起。 
几乎所有制造过程均为自动完成，因此厂内大部分工人的工作就是保证这些设备正常运行。
化学机械抛光（CMP）车间 
照明受限的光刻车间 
一块光刻掩膜，光刻过程简单的说就是将这块掩膜上图案“缩印”到晶圆上。 
光刻过程中的“校准” 
实时缺陷监测（RDA） 
FOUP片盒中的300mm晶圆 
PCper记者手持一片25nm工艺300mm晶圆，总容量超过2TB。
300mm晶圆 
每片闪存颗粒die容量为8GB（每格2GB），面积167平方毫米。 
Intel副总裁，NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒 
尺寸对比
从左到右分别是：
2003年130nm工艺128MB，2005年90nm工艺512MB，2007年50nm工艺1GB，2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。
使用25nm工艺闪存，只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划，今年将基于该闪存造出最大600GB的固态硬盘，而美光甚至计划最大推出1TB SSD。
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