Hynix宣布成功开发出30nm制程级别DDR4内存芯片/内存条产品

云瑞

韩国Hynix宣布已成功开发出2Gbit密度的DDR4内存芯片，以及采用这种芯片制作的2GB容量的DDR4内存条.这款DDR4内存芯片采用 30nm级别（关键尺寸在30-39nm范围）制程制作。Hynix开发的2GB DDR4内存条上安装有ECC校验芯片，采用笔记本内存常用的小型双列直插封装(SODIMM)形式。这款内存条的主要用途将是用于小型服务器机型。 Hynix表示将于明年下半年开始DDR4内存产品的量产。

Hynix声称自己开发的DDR4内存芯片峰值数据传输率可达2400Mbps,超过了三星DDR4芯片的2133Mbps，达到了业内最高水平。同时，也比Hynix自己的DDR3 1333内存的1333Mbps传输率更上一层楼。由于DDR4内存的数据传输率要比同频的DDR3内存快上一倍，因此DDR4内存在性能提升的同时功耗水平还有可能更低。

Hynix这次开发成功的DDR4内存条工作电压可低至1.2V，输出位宽为64bit时，内存峰值带宽可达19.2GB/s。

Hynix并援引市调公司 IHS-iSuppli的调查报告称，DDR4内存的市场占有率将从2013年的5%提升到2015年的50%以上，而市场对DDR3内存的需求顶点将在2012年达成，预计届时DDR3内存的市占率将为71%，而到2014年DDR3内存的市占率将跌至49%。

CNBeta编译
原文：eetimes

30nm现在是主流，马上会过度到20nm

我也觉得是如此的，支持了。

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