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为了能够始终保持在芯片代工厂商中的技术领先地位，台积电（TSMC）决定跳过22nm制程直接进军20nm工艺，预计这个技术转换将会在2012年下半年开始。
新的20nm工艺将会采用增强high-K metal gate (HKMG)技术，采用创新的硅材料以及低电阻铜ultra-low-K连接技术。此外还包括有创新的patterning技术以及布局设计方法等。
根据TSMC公司高层Dr. Shang-yi Chiang的介绍，向20nm工艺的转换将会带来极高的栅密度以及优于22nm工艺的性价比，因此对于高科技设计用户而言，20nm工艺将会更切实可行。他同时宣布，TSMC将会于2012年下半年开始20nm的风险性试产。
最近TSMC已经决定将会取消32nm工艺而直接上马28nm HKMG工艺，此举将会有效提升该公司在2011年时的竞争力。不过现在TSMC仍然深受40nm工艺产能不足的困绕，此种情况也是TSMC决定取消45nm直接上马40nnm工艺之后出现的。 |
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