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早前，在日本东京举行的MemCon2010大会上，US Modular公司工程副总裁、JEDEC董事会成员Bill Gervasi介绍了关于**DDR内存（DDR4）的相关资料。而作为全球实力最强悍的半导体生产商，三星半导体在内存颗粒方面的研发一直保持着较大的领先优势。09年末，三星金条于中国市场率先推出了采用40纳米工艺的幻影40内存，成为当时唯一拥有40纳米内存的品牌。时隔1年，三星半导体方面再次传来喜讯，目前已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格的内存条研发，并且采用了最先进的30nm级工艺制造，相比于其他半导体厂商又领先了大约1-2年，技术差距非常明显
据悉，目前已经面世的三星DDR4内存样品采用UDIMM类型设计，容量为现时主流的2G，运行电压低至1.2V（有望降低至1.05V），比DDR3内存降低了足足四分之一。工作频率则高达为2133 MHz，伴随技术的成熟与电路架构的不断改良，该内存运行频率最终有望突破3200MHz，成为迄今为止世界上运行速度最快的内存。回顾三星金条的主打力作幻影40系列内存，低能耗、低发热、高效稳定和强劲的超频性能让其傲视群雄，借助工艺的优势建立起了牢不可破的城堡，继续一马当先领衔内存的发展。如今新一代内存即将上市，三星与其他品牌之间的优势差距势必进一步拉大。
作为最新一代的极品内存，DDR4使用了昔日曾频繁亮相于高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技术，透过该技术可大幅度降低数据在读取、写入时候内存颗粒的漏电情况，于DDR3相比大约可降低一半的漏电，届时DDR4将会更节能更高效。另一方面三星称，目前已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存的测试样品，并计划与多家厂商开展密切合作，帮助JEDEC组织完成DDR4相关规范的制定，并与2012年或更早投入商用。
三星目前已完成历史上第一款DDR4 DRAM的内存条研发，目前已面世的三星DDR4内存样品采用UDIMM类型设计，容量2G，运行电压仅1.2V。默认工作频率2133 MHz，最终频率有望突破3200MHz，成为现今运行速度最快的内存。作为最新一代内存，三星DDR4内存将会使用虚拟开漏极技术，透过该技术可大幅度降低数据在读娶写入时候内存颗粒的漏电情况，与DDR3相比大约可降低一半的漏电，DDR4将会更节能更高效。
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