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三星电子于24日宣布，将从本月开始在全球率先量产30纳米级4G(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32G(byte)内存模块。据悉，30纳米级32G DDR3内存模组具有高性能、低功耗、大容量等特点，能够在1.35伏的电压下达到1.866Mbps传输速度，最适合应用于最新高性能的服务器，和现有的40纳米级32G DDR3模组(1.5伏/1.333 Mbps )相比，不仅可以节省18%的能耗，而且将数据传输速度提高了40%。
而据了解，原有的40纳米 32G DDR3内存于2011年获得了美国CES国际消费电子展评选的环保产品创新奖，这样对比看来，30纳米级32G DDR3服务器模组可谓是目前全球功能最优越的产品，这标志着三星最早实现了服务器专用、超节能型30纳米级32G DDR3内存模组量产。目前三星电子的4G DRAM生产工艺覆盖了从服务器到笔记本一系列的产品，业内人士表示，这些新产品或将引领其从高性能、大容量服务器到移动市场的高速发展。
此外，与采用30纳米级2G DDR3 DRAM生产的模组相比，30纳米级4G DDR3 DRAM笔记本模组的性能依旧突出，拥有与前者相同的1.5伏/2.133Mbps的高性能。由于30纳米级4G DDR3 DRAM的单位产能比40纳米级4G DDR3 DRAM 高出50%多，它将在具有高性能、低能耗的下一代服务器市场和高端笔记本市场取代40纳米级4G DDR3 DRA的同时，创造新的需求。 有分析认为，从2011年3月开始，三星电子仅用了一个月的时间就实现了4G移动DRAM的量产到4G DRAM工艺大容量电脑用模组量产，这说明从移动市场到企业级服务器市场，三星电子将以最先进的30纳米级DRAM来推动企业对低耗能“绿色内存”的需求。 三星电子以本次30纳米级4G DRAM批量生产为契机，将大幅度提高大容量DRAM的生产比重，争取最晚在2012年，将这一比重提高至所有DRAM生产的10%以上。另据市场调查机构调查显示，4G DRAM的市场占有率从2011年起逐渐扩大，到2012年，2013年，2014年将分别扩大至10%、35%、57%，已经成为DRAM市场的主力军。 | 
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